電路保護設計

⑴ 過壓保護 過流保護電路如何設計

你的設計項目說得不太清楚，如果只是在輸入380v上加過流過壓保護，用保險絲和壓敏電阻就可以了，如果是輸出上要有過流過壓保護你就要把輸出的條件也說清楚了

⑵ 開關電源短路保護電路設計

最有意義的是用開關電源充電，當被充電電池反接的時候，
用電子裝置保護專，而不是用熔斷絲保屬護。
尤其是非隔離開關電源，例如LM2576等晶元對電池充電的反接保護、
限流控制、短路保護。這些要求全都已經實現了，
就等你來新的設計，並且公開。
因為直流變換為直流的開關電源有用變壓器隔離的，
也有不隔離，直接耦合電路直流連接的，
當直接連接，開關電源輸出有一個反接的肖特基二極體，
當電池反接的時候，這個肖特基二極體就構成短路捷徑，
過流保護的高水平，是當負載電阻不斷下降的時候，
輸出電流首先是保持不變，
然後輸出電流不斷下降，
這就是水平，就是能力的體現。

⑶ 怎麼來設計一個防過壓電路來保護單片機

這個穩壓二極體功率要大，要不瞬間就燒了，再二極體前面加個可恢復保險絲，電壓一高，穩壓二極體分流電流增大，電流一大保險絲斷開，這樣就不叫安全了。我有一次弄了個穩壓二極體 電壓給接反了，以上電 瞬間二極體就費了，1W的二極體。

⑷ 用三極體設計保護電路

圖不完整。估計555是多諧振盪電路。
Q2Q3是驅動三極體，驅動場效應管輸出，一旦輸出負載過中，場效應管Id電流過大，勢必造成R8電阻電位上升，Q4三極體導通，使得555復位停止振盪輸出。

⑸ 什麼是電源保護電路設計

考慮電源電路產生的一些不穩定因素 比如有過流保護 過壓保護 過熱保護 空載保護 短路保護等，通過一系列采樣電路，比較電路，控制電路等，抑制電源電路產生的各種不穩定因素，或者直接使電源停止工作，保護電源和用電器。

⑹ 鉗位保護電路設計在調理電路和ADC電路之間,因為什麼

ADC的輸入范圍是固定的，只需要將進入ADC的信號控制在額定范圍內即可，因此在ADC前加鉗位電路。調理電路是將輸入信號放大或縮小，使輸出信號保持在ADC范圍內，因此沒法對調理電路之前的信號進行鉗位。

⑺ 如何設計一個簡單的過電流保護電路給個電路圖

看你用在復什麼地方，制設計很簡單，測試很復雜。原理就是將導線穿過線圈（互感器），次級感應電流，用這個電流的大小來控制主迴路。如果不夠大還可以設計放大電路。用多級繼電的方式達到目的。
那麼問題就是，這個互感器用什麼做，導線繞多少圈，說實話，找材料加測試，一個星期都未必能結束。

⑻ 過電壓保護電路的設計思路什麼

用穩壓二極體和可控硅相結合，電路簡單保險系數高。穩壓管接於可控硅控制極，一旦過壓穩壓管導通，致使可控硅導通，從而保護用電器。OK!

⑼ 如何實現電路保護設計中的ESD保護

對於電子產品而言，保護電路是為了防止電路中的關鍵敏感型器件受到過流、過壓、過熱等沖擊的損害。保護電路的優劣對電子產品的質量和壽命至關重要。隨著消費類電子產品需求的持續增長，更要求有強固的靜電放電(ESD)保護，同時還要減少不必要的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)雜訊。此外，消費者希望最新款的消費電子產品可以用小尺寸設備滿足越來越高的下載和帶寬能力。隨著設備的越來越小和融入性能的不斷增加，ESD以及許多情況下的EMI/RFI抑制已無法涵蓋在驅動所需介面的新一代IC當中。 另外，先進的系統級晶元(SoC)設計都是採用幾何尺寸很小的工藝製造的。為了優化功能和晶元尺寸，IC設計人員一直在不斷減少其設計的功能的最小尺寸。IC尺寸的縮小導致器件更容易受到ESD電壓的損害。過去，設計人員只要選擇符合IEC61000-4-2規范的一個保護產品就足夠了。因此，大多數保護產品的數據表只包括符合評級要求。由於集成電路變得越來越敏感，較新的設計都有保護元件來滿足標准評級，但ESD沖擊仍會形成過高的電壓，有可能損壞IC。因此，設計人員必須選擇一個或幾個保護產品，不僅要符合ESD脈沖要求，而且也可以將ESD沖擊鉗位到足夠低的電壓，以確保IC得到保護。圖1：美國靜電放電協會(ESDA)的ESD保護要求先進技術實現強大ESD保護安森美半導體的ESD鉗位性能備受業界推崇，鉗位性能可從幾種方法觀察和量化。使用幾個標准工具即可測量獨立ESD保護器件或集成器件的ESD鉗位能力，包括ESD保護功能。第一個工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脈沖響應截圖，顯示的是隨時間推移的鉗位電壓響應，可以看出ESD事件中下游器件的情形。圖2：ESD鉗鉗位截圖除了ESD鉗位屏幕截圖，另一種方法是測量傳輸線路脈沖(TLP)來評估ESD鉗位性能。由於ESD事件是一個很短的瞬態脈沖，TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據，其中每個數據點都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線和參數可以用來比較不同TVS器件的屬性，也可用於預測電路的ESD鉗位性能。圖3：典型TLP I-V曲線圖安森美半導體提供的高速介面ESD保護保護器件陣容有兩種類型。第一類最容易實現，被稱為傳統設計保護。在這種類型設計中，信號線在器件下運行。這些器件通常是電容最低的產品。另一類是採用PicoGuard XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路，可保證100 Ω的阻抗，相當於電容為零。這類設計無需並聯電感，有助於最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。圖4：傳統方法與PicoGuard XS設計方法的對比安森美半導體的保護和濾波解決方案均基於傳統硅晶元工藝技術。相比之下，其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下，傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導體解決方案低一個量級。一些採用舊有技術的產品甚至可能在小量ESD沖擊後出現劣化並變得更糟。由於其材料性質，一些無源器件往往表現出溫度的不一致性，從而降低了終端系統在標准消費溫度和環境溫度范圍內運行的可靠性。1