新型電力電子器件
『壹』 電力電子器件的分類
按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：
1.半控型器件，例回如晶閘答管；
2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；
3.不可控器件，例如電力二極體；
按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類：
1.電壓驅動型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）；
2.電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR；
根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類：
1.脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO；
2.電子控制型，例如GTR、MOSFET、IGBT；
按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類：
1.雙極型器件，例如電力二極體、晶閘管、GTO、GTR；
2.單極型器件，例如MOSFET、SIT；
3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）和IGBT；
『貳』 現階段有哪些新型電力電子器件，大致有什麼特性
寬禁帶材料抄吧，比如SiC、GaN、金襲剛石等等。
什麼是寬禁帶材料：眾所周知，電子要想突破原子核束縛成為自由電子，是需要能量的。Si材料大約需要1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導體材料 需要2.3eV左右的能量。
由於具有比硅寬得多的禁帶寬度，寬禁帶半導體材料一般都具有比硅高得多的臨界雪崩擊穿電場強度和載流子飽和漂移速度、較高的熱導率和相差不大的載流子遷移率，因此，基於寬禁帶半導體材料(如碳化硅)的電力電子器件將具有比硅器件高得多的耐受高電壓的能力、低得多的通態電阻、更好的導熱性能和熱穩定性以及更強的耐受高溫和射線輻射的能力，許多方面的性能都是成數量級地提高。但是，寬禁帶半導體器件的發展一直受制於材料的提煉、製造以及隨後半導體製造工藝的困難。
現在常見的就是肖特基二極體吧。
『叄』 新型電力電子器件GTR，GTO，SIT，IGBT，MOSFET，SITH,MCT，IGCT的英文全稱，和中文名是什麼
MCT應該為MOS Controlled thyristor。樓下錯誤翻譯：光電晶體管光耦合器
『肆』 電力電子器件有哪些基本類型,其發展趨勢如何
一：電力電子器件的分類共有四大類！
其中每類又能分出多種不同類型：
一、按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：
1、半控型器件，例如晶閘管；
2、全控型器件，例如（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），MOSFET（電力場效 應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；
3、不可控器件，例如電力二極體。
二、按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類：
1、電壓驅動型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）；
2、電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。
三、根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類：
1、脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO；
2、電子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
四、按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類：
1、雙極型器件，例如電力二極體、晶閘管、GTO、GTR；
2、單極型器件，例如MOSFET、SIT；
3、復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）和IGBT。
二：高頻化、集成化、標准模塊化和智能化是電力電子器件未來的主要發展方向。
(1)隨著電力電子技術應用的不斷發展，對電力電子器件性能指標和可靠性的要求也日益苛刻。具體而言，要求電力電子器件具有更大的電流密度、更高的工作溫度、更強的散熱能力、更高的工作電壓、更低的通態壓降、更快的開關時間，而對於航天和軍事應用，還要求有更強的抗輻射能力和抗振動沖擊能力。特別是航天、航空、艦船、輸變電、機車、裝甲車輛等使用條件惡劣的應用領域，以上要求更為迫切。
(2)未來幾年中，盡管以硅為半導體材料的雙極功率器件和場控功率器件已趨於成熟，但是各種新結構和新工藝的引入，仍可使其性能得到進一步提高和改善，Coolmos、各種改進型IGBT和IGCT均有相當的生命力和競爭力。
(3)電力電子器件的智能化應用也在不斷研究中取得了實質成果。一些國外製造企業已經開發出了相應的IPM智能化功率模塊，結構簡單、功能齊全、運行可靠性高，並具有自診斷和保護的功能。
(4)新型高頻器件碳化硅和氮化鎵器件正在迅速發展，一些器件有望在不遠的將來實現商品化，總部位於美國北卡羅來納的CREE公司已經實現商用的SiC二極體和MOSFET[2] 。但由於材料和製造工藝方面的問題，還需要大量的研究投入和時間才能逐步解決，位於北卡州立大學的FREEDM中心正在對此技術進行研究。
『伍』 什麼是復合型電力電子器件它們有哪些產品
電力電子器件實際上就是可控硅開關，主要有幾種：MOSFET，二極體，晶閘管，IGBT，GTO和IGCT
簡單的版說它們根據開關控制方式，權分為 電壓控制型 和 電流控制型；
其中，壓控型器件一般容量較小，但控制簡單，MOSFET就是典型的壓控器件；
而容量大的電流控制型開關器件，比如GTO，控制開關所需的能量較大，換句話說 就是開關控制不方便；
於是人們就把 電壓控制型器件 和 電流控制型器件做了一個組合，形成了復合型電力電子器件，它控制器件比較簡單，容量也可以做的比較大；
至於復合型電力電子器件，實際上常見的和典型的 只有一種，那就是IGBT。至於什麼是IGBT，可以去讀些參考文獻；
看你問題提了好幾次... 就費點時間給你講講~~ ：）
『陸』 華微電子的8英寸新型電力電子器件基地項目有什麼影響力
華微電子的8英寸新型電力電子器件基地項目將推動公司在未來發展中不斷加大具有自主知識產權的新產品生產規模，推進公司樹立中國功率半導體民族品牌、打造全球領先的世界級功率半導體企業的進程。
『柒』 新型氮化鎵電力電子元件技術開發周期要多久
新型氮化稼點滴電源鍵技術開發周期要多久？技術開發周期的話，這個就是要看他們科研攻關的，一方面的努力，或者說是其他方面的一些進展
『捌』 當前主流的電力電子器件有哪些各自適用的場合
（1）常用的電力電子器件有：SCR（普通晶閘管），雙向SCR（雙向晶閘管），GTR（高版功率晶體管），MOSFET（功權率場效應管），IGBT（絕緣柵門控雙極型晶體管），GTO（可關斷晶閘管）,IGCT(換流關斷晶閘管）等（第一章電力電子器件一般考試都會考到，屬於重點內容,特別是英文字母要記住個器件英文對應的中文意思）
（2）MOSFET的特點：是性能理想的中小容量的高速壓控型器件，廣泛應用於各種中小型的電子裝置中。MOSFET的控制要求簡單，其工作頻率可以達到100Khz至數兆赫茲。
（3）IGBT的特點：IGBT是性能理想的中大容量的中高速壓控型器件，廣泛應用於各種中大型電力電子裝置中。其開關頻率通常可達到20Khz左右，在電流耐力方面，IGBT的額定工作電流在數十安至千安級。
『玖』 電力電子器件的怎麼分類
（一）按能被控制電路信號控制的程度可以分為：
1.半控型器件：就是通過控制信號可回以控制其導通擔答不可控制其關斷的電力電子器件 例如晶閘管
2.全控型器件：就是通過控制信號既可以控制器導通又可以控制器關斷的器件
3.不可控器件：就是不需要控制信號的器件例如 電力二極體
（二）按電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況可以分為：
1.單極型器件：只有一種載流子參與導電
2.雙極型器件：有電子和空穴兩種載流子參與導電
3.復合型器件：由單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器件
（三）按加在電力電子器件控制端和公共端間信號的性質可以分為：
1.電流驅動型 例如晶閘管
2.電壓驅動型
『拾』 電力電子器件如何分類
電力電子器件的分類共有四大類！
其中每類又能分出多種不同類型：
一、按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：
1、半控型器件，例如晶閘管；
2、全控型器件，例如（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），MOSFET（電力場效 應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；
3、不可控器件，例如電力二極體。
二、按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類：
1、電壓驅動型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）；
2、電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。
三、根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類：
1、脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO；
2、電子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
四、按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類：
1、雙極型器件，例如電力二極體、晶閘管、GTO、GTR；
2、單極型器件，例如MOSFET、SIT；
3、復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）和IGBT。