新型半導體
Ⅰ 新型的半導體材料講了什麼科學知識
美國佛羅里達大學研究人員宣布，他們在新半導體的設計方面取得突破，從而率先為一種新型電子開關開發出重要的基礎材料，這種基礎材料很可能提供平穩的不間斷的電力供應。這項研究成果可能成為21世紀汽車工業和尖端軍事硬體使用的重要材料，行業雜志《化合物半導體》對這項研究成果作了介紹。
佛羅里達大學四位材料學教授和兩位化學工程教授用氮化鎵材料設計了一種稱之為「金屬氧化物半導體場效應晶體管」的基本電子結構。
佛羅里達大學的科學家和聖巴巴拉加州大學的科學家們還最先設計並展示了一種與之相關的「雙極晶體管」。
參加研究的佛羅里達大學材料學教授斯蒂芬?皮爾頓說，這兩項研究成果是朝著製造氮化鎵半導體開關邁出的重要步驟。這種開關將確保供電系統今後能實現高質量的電力輸送。
他說，美國供電系統目前使用大型機械中繼開關和硅開關輸送電力，但是這兩種開關都存在嚴重的缺陷。用氮化鎵開關替代上述兩種開關輸送電力可以收到良好的效果。
皮爾頓說：「如果能用電子開關替換全部機械中繼開關和硅開關，輸送電力的速度更快，問題也大大減少。」
Ⅱ 半導體晶元是一種什麼新型材料，它有哪些作用
半導體的材料：常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
半導體的作用：
（1）集成電路 它是半導體技術發展中最活躍的一個領域，已發展到大規模集成的階段。在幾平方毫米的矽片上能製作幾萬只晶體管，可在一片矽片上製成一台微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發展方向是實現更高的集成度和微功耗，並使信息處理速度達到微微秒級。（2）微波器件半導體微波器件包括接收、控制和發射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研製新器件、發展新技術來獲得更大的輸出功率。
（3）光電子器件 半導體發光、攝象器件和激光器件的發展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。
半導體的特點：
（1）電阻率的變化受雜質含量的影響極大。例如，硅中只含有億分之一的硼，電阻率就會下降到原來的千分之一。如果所含雜質的類型不同，導電類型也不同。由此可見，半導體的導電性與所含的微量雜質有著非常密切的關系。（2）電阻率受外界條件（如熱、光等）的影響很大。溫度升高或受光照射時均可使電阻率迅速下降。一些特殊的半導體在電場或磁場的作用下，電阻率也會發生改變。
Ⅲ 電阻為零的超導體是新物質新型半導體是新物質么
超導體是特殊的導電材料，在極低的溫度下所呈現的一種屬性，不是新物質，新型半導體也不是新物質，它上不同的元素產生的新的化合物，具有更先進的電性能。都是普通的元素，不是新發現的元素。
Ⅳ （1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似
（1）Ga原子是31號元素，Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1；GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體，
故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p1；正四面體；原子；
（2）微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有能夠接受孤電子對的空軌道的原子或離子，
故答案為：能夠接受孤電子對的空軌道；
（3）①在元素周期表中同一周期從左到右元素的電負性逐漸增強，同一主族從上到下元素的電負性逐漸減弱，可知電負性強弱順序為O＞N＞H，
故答案是：O＞N＞H；
②SO2分子中含有2個δ鍵，孤電子對數=
| 6?2×2 |
| 2 |
故答案為：V形； SO42-、SiO44-等；
③乙二胺分子中氮原子形成4個δ鍵，價層電子對數為4，氮原子為sp3雜化，乙二胺分子間可以形成氫鍵，物質的熔沸點較高，而三甲胺分子間不能形成氫鍵，熔沸點較低，
故答案為：sp3雜化；乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵；
④）②中所形成的配離子中含有的化學鍵中N與Cu之間為配位鍵，C-C鍵為非極性鍵，C-N、N-H、C-H鍵為極性鍵，不含離子鍵，
故答案為：abd；
⑤從CuCl的晶胞可以判斷，每個銅原子與4個Cl距離最近且相等，即Cu的配位數為4，根據化學式可知Cl的配位數也為4，
故答案為：4．
Ⅳ 新型發熱材料--PTCPTC是一種新型的半導體陶瓷材料，它以鈦酸鋇為主，滲入多種物質後加工而成，目前家用的
（1）PTC有一個根據需要設定的溫度，低於這個溫度時，其電阻隨溫度的升高而減小，高於這個溫度時，電阻值則隨溫度的升高而增大，我們把這個設定的溫度叫「居里點溫度」．根據圖象可知居里點溫度為 100℃．
（2）根據圖象，溫度高於165℃，電阻值則隨溫度的升高而增大，根據公式P=
| U2 |
| R |
故答案為：100；增大；減小；降低；
（3）如圖所示：當環境溫度正常時，指示燈亮；當環境溫度超過PTC電阻的居里點溫度時，由於電阻變化，導致電磁鐵磁性減弱，使警鈴響．
（4）控制電路的電池長時間工作，電流減小，磁性減弱，可能造成誤動作．控制電路部分始終耗電．
Ⅵ 「研製新型半導體」是化學范疇還是物理范
「研製新型半導體」從發想，設計到試作必定會是化學范疇加上物理范疇，理化兩者互動才能成功，無法只限於單邊物理或單邊化學;
Ⅶ 研製新型半導體屬於化學研究的范圍嗎
你好，是屬於物理的
Ⅷ 新型的半導體材料有何作用
美國佛羅里達大學研究人員宣布，他們在新半導體的設計方面取得突破，從而率先為一種新型電子開關開發出重要的基礎材料，這種基礎材料很可能提供平穩的不間斷的電力供應。這項研究成果可能成為21世紀汽車工業和尖端軍事硬體使用的重要材料，行業雜志《化合物半導體》對這項研究成果作了介紹。
佛羅里達大學四位材料學教授和兩位化學工程教授用氮化鎵材料設計了一種稱之為「金屬氧化物半導體場效應晶體管」的基本電子結構。
佛羅里達大學的科學家和聖巴巴拉加州大學的科學家們還最先設計並展示了一種與之相關的「雙極晶體管」。
參加研究的佛羅里達大學材料學教授斯蒂芬·皮爾頓說，這兩項研究成果是朝著製造氮化鎵半導體開關邁出的重要步驟。這種開關將確保供電系統今後能實現高質量的電力輸送。
他說，美國供電系統目前使用大型機械中繼開關和硅開關輸送電力，但是這兩種開關都存在嚴重的缺陷。用氮化鎵開關替代上述兩種開關輸送電力可以收到良好的效果。
皮爾頓說：「如果能用電子開關替換全部機械中繼開關和硅開關，輸送電力的速度更快，問題也大大減少。」
Ⅸ 新型半導體材料有哪些
GaN，GaAs，InSb，InN，等等，可能是相對於Si這類傳統的半導體來說吧。
III-V族裡邊有很多。
Ⅹ 「研製新型半導體」是化學范疇還是物理范疇
主要是化學范疇。
我就是學半導體的，其實理論上半導體研究都差不多了，關鍵是怎版么制出優質權半導體。比如單晶硅的生產就需要大量的化工技術，晶元的製作中的掩模光刻等工藝全靠化工技術來實現。
物理方面主要在電氣設計方面，但能不能生產出來還得靠化工技術。