新型晶體材料
㈠ （2014龍岩一模）氯化硼（BN）晶體是一種新型無機合成材料．用硼砂（Na2B4O7）和尿素反應可以得到氮化硼
（1）第一電離能同周期從左到右，呈增大趨勢；同主族從上到下，逐漸減小，位於周期表右上方的元素第一電離能大，又由於N＞O，故答案為：N；
（2）分子內只含一條雙鍵，即只含一條π鍵；相鄰原子之間均存在σ鍵，數目為7；碳氧雙鍵及相連的原子一定共平面，即O、C、N原子一定共平面，與每個N相連的H可能共平面，故答案為：1：7；6；
（3）由於存在的微粒為分子，應從分子間作用力方面考慮，H與N相連，且分子內還含有極性較強的C、O雙鍵，可以想到分子間可形成氫鍵，故答案為：氫鍵；
（4）①微粒為分子，不具備形成分子間氫鍵的條件，只能考慮到作用力為范德華力，故答案為：范德華力；
②不含支鏈的分子可通過，含有支鏈的分子不能通過，可得到答案；A．都不含支鏈，不可分離；B、丁烷不含支鏈，異丁烷含有支鏈，可以分離；C、異戊烷和新戊烷都含有支鏈，不可分離；D、氯化鈉和氯化鉀均以離子形式存在，二者相同，不可分離；故答案為：B；
（5）①與石墨結構相似，石墨中C以sp2雜化，故答案為：sp2；
②結構與金剛石相似，金剛石中，C原子形成4條共價鍵；B原子最外層有3個電子占據3條雜化軌道，只能形成3條共價鍵，還有一條空軌道，形成配位鍵，故答案為：4、1．
㈡ （1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似
（1）Ga原子是31號元素，Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1；GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體，
故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p1；正四面體；原子；
（2）微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有能夠接受孤電子對的空軌道的原子或離子，
故答案為：能夠接受孤電子對的空軌道；
（3）①在元素周期表中同一周期從左到右元素的電負性逐漸增強，同一主族從上到下元素的電負性逐漸減弱，可知電負性強弱順序為O＞N＞H，
故答案是：O＞N＞H；
②SO2分子中含有2個δ鍵，孤電子對數=
| 6?2×2 |
| 2 |
故答案為：V形； SO42-、SiO44-等；
③乙二胺分子中氮原子形成4個δ鍵，價層電子對數為4，氮原子為sp3雜化，乙二胺分子間可以形成氫鍵，物質的熔沸點較高，而三甲胺分子間不能形成氫鍵，熔沸點較低，
故答案為：sp3雜化；乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵；
④）②中所形成的配離子中含有的化學鍵中N與Cu之間為配位鍵，C-C鍵為非極性鍵，C-N、N-H、C-H鍵為極性鍵，不含離子鍵，
故答案為：abd；
⑤從CuCl的晶胞可以判斷，每個銅原子與4個Cl距離最近且相等，即Cu的配位數為4，根據化學式可知Cl的配位數也為4，
故答案為：4．
㈢ 第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似
（1）鎵位於周期表中第四周期第IIIA，故其核外電子排布式為1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1，
價電子的版軌道排布式為：權
．
㈣ 請完成下列各題：第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與
解：（1）Ga原子是31號元素，根據構造原理寫出Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1，
故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p1；
（2）GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，每個Ga原子與4個N原子相連，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體，
故答案為：4；正四面體；
（3）GaN晶體結構與單晶硅相似，GaN屬於原子晶體，故答案為：原子；
（4）碳原子可以形成4個碳碳單鍵，所以每個As應與4個Ga相連，金剛石中含有的化學鍵是共價鍵，所以該物質中含有的化學鍵是極性鍵，單鍵為σ鍵，又因為砷原子還有1對孤對電子，而鎵原子有容納孤對電子的空軌道，所以還可以構成配位鍵，
故答案為：BEG；
（5）晶胞中Ga位於體內，數目為4，As原子位於頂點和面心，數目為8×
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| 8 |
| 1 |
| 2 |
| 4×(70+75)g/mol |
| 6.02×1023mol?1 |
| 4×(70+75) |
| 6.02×1023×(564×10?10)3 |
a位置As原子與b位置Ga原子之間的距離為晶體體對角線的
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