集成电路原理与设计

Ⅰ 集成电路原理与设计 MOS管和半导体生产工艺

RF CMOS / SiGe HBT / GaAs

In the last years RF CMOS power amplifiers have been introced. SiGe Bipolar power amplifiers are available since a couple of year already. But they have not established in volume supply in the hand-set instry as already mentioned. TriQuint also has been engaged in this technology over several years with the development and release of CDMA power amplifier, in SiGe and GaAs. This development team now is exclusively working on GaAs HBT based devices. The main reasons are performance cost. The long lasting dispute between Silicon and GaAs with arguments like: Silicon is more mature and predictable, can be proced at lower cost, and integrating new functions on chip is easier than in GaAs. In detail these are no longer true for today's challenging applications. GaAs processes have matured and cost disadvantages have been overcome by reaching volumes that have driven down substrate prices tremedously. Additionally GaAs has performance features that cannot always be metched by Silicon chip. Larger chip sizes have severe disadvantages because the die gets more expensive and secondly and even more important it has cost impact on the mole and hampers the shrinkage path for future procts. Chip cost for a SiGe chip with comparable performance and function are higher compared to a GaAs HBT die although the wafer cost still is lower, but the required die size is larger. SiGe RF power performance under high linearity requirements in high band for CDMA is not competitive to GaAs HBT. In a CDMA high band example the SiGe die was 2.5x the sizes of a GaAs solution resulted in a 15% lower cost for the full mole.

Ⅱ 半导体，集成电路原理设计

1、集电极电位不相同的NPN晶体管必须放在不同的隔离区，而集电极电位相同的专NPN晶体管可以放在同一个隔属离区内。2、多数电阻原则上都可以放在同一个隔离区内，只要保证它们之间实现电隔离。3、基区扩散电阻两端电位不高于NPN晶体管集电极电位时，可与NPN晶体管同放一个隔离区内；基区扩散电阻两端电位不高于横向PNP晶体管基极电位时，可与横向PNP晶体管同放一个隔离区内。
根据这几条比对电路图。这个电路实际上是个反相器，或者说是交流转直流的一个东西。VI高电平时输出低电平，VI低电平时，或者为负时输出高电平。
根据那几条，可以看出Q5、Q6为一个区，其他为一个区。
仅是个人观点，对隔离区不是很了解

Ⅲ 集成电路设计原理和半导体物理哪个好学

两者实用性相当，抄在操作方面 半导体物理操作难度更大需要借助专业器械，半导体物理主要研究半导体的电子状态，即能带结构、杂质和缺陷的影响、电子在外电场和外磁场作用下的输运过程、半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等
集成电路就是半导体物理的一个分支。因此两者难度都差不多，而集成电路在中国，世界范围内都有较为宽广的市场，因此集成电路设计也比较热门，个人觉得可以试试集成电路设计。不过具体情况还是要根据你自己的实际情况，比如 兴趣 学科综合水平 等等来决定 以上仅仅代表个人观点，实际的话还是要看你自己了。无论如何 祝你考研顺利！！！

Ⅳ 求《集成电路原理与设计》甘学温 赵宝瑛编 北京大学出版社版教材的 pdf

Ⅳ 集成电路原理与设计的百科名片

作/译者：甘学温 赵宝瑛
ISBN：9787301098028 [十位:7301098022]
重约：0.618KG
定价：￥42.00

Ⅵ 《集成电路原理与设计》甘学温 赵宝瑛编 北京大学出版社版教材的 pdf

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Ⅶ 集成电路原理图设计

都是把单元电路一个个整合而成的！懂得怎么看单元电路能看懂集成电路不成问题！其实你说的那些就是基础。

Ⅷ 半导体器件物理和集成电路设计原理什么关系

集成电路设计原理

Ⅸ 微电子科学与工程的 电子封装封装专业和 芯片制造转也差别大吗分别都学什么重点说一下电子封装

微电子科学与工程专业解读与就业

学科门类：工学
专 业 类：电子信息类
专业名称：微电子科学与工程

培养目标：
本专业培养德、智、体等方面全面发展，具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。

培养要求：
本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论，掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术，接受相关实验技术的良好训练，掌握文献资料检索基本方法，具有较强的实验技能与工程实践能力，在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。

毕业生应获得以下几方面的知识和能力：
1．具有较好的人文社会科学素养、创新精神和开阔的科学视野；
2．树立终身学习理念，具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力；
3．具有较扎实的自然科学基本理论基础；
4．具备微电子材料、微电子器件、大规模集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能；
5．了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况，熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规；
6．掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法；
7．具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。

主干学科：
微电子学、电子科学与技术。

核心知识领域：
电路理论、电子技术基础、信号与系统、电磁场与电磁波、半导体物理、微电子器件原理、集成电路设计原理、微电子工艺原理、集成电路封装与系统测试、嵌入式系统原理与设计、电子设计自动化基础等。

核心课程示例：
示例一：电路分析原理（64学时）、徽电子与电路基础（48学时）、信号与系统（48学时）、半导体物理（64学时）、电子线路A（48学时）、数字逻辑电路（48学时）、数字集成电路设计（48学时）、集成电路工艺原理（48学时）、半导体器件物理（48学时）、数字集成电路原理（64学时）、电子系统设计（64学时）、集成电路计算机辅助设计（48学时）。
示例二：电路分析理论（48学时）、电磁场理论（48学时）、模拟电子线路（64学时）、信号与系统（64学时）、数字电子线路（64学时）、固体物理学（64学时）、半导体物理学（64学时）、集成电路原理与设计（64学时），半导体器件物理（64学时）、微电子制造科学原理（48学时）。
示例三：核心必修课，包括电路分析（54学时）、模拟电子技术（48学时）、数字电子技术（48学时）、固体物理（48学时）、半导体物理（48学时）、半导体器件物理（64学时）、半导体工艺原理（48学时）；专业方向核心限选课，包括半导体集成电路原理与设计（32学时）、集成电路CAD（32学时）、集成电路工艺设计（32学时）、半导体光电材料（32学时）、半导体光电器件原理（32学时）、半导体光电器件工艺（32学时）。

主要实践性教学环节：
金工实习、电子工艺实习、课程设计、生产实习、毕业设计（论文）等。

主要专业实验：
电路实验、电子技术实验、信号与系统实验、半导体基础实验以及微电子技术专业实验等。

修业年限：四年。

授予学位：工学学士或理学学士。

就业方向：
在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作。

Ⅹ 881电子线路与集成电路设计和882半导体器件原理具体指哪几本书

881和882是复旦微电子学科硕士研究生的考试项目
881的参考书：
①《数字逻辑基础》，陈光版梦编，复旦大学出权版社
②《模拟电子学基础》，陈光梦编，复旦大学出版社。或者《模拟电子技术基础》（第三版），童诗白编，高等教育出版社
③《专用集成电路设计方法》，复旦大学微电子学系自编讲义
④《Digital Integrated Circuits: A Design Perspective》，Jan M. Rabaey著，英文翻印《数字集成电路设计透视》，清华大学出版社，1999年
⑤《模拟CMOS集成电路设计》，拉扎维著，陈贵灿译，西安交通大学出版社2003年
882的参考书：
①《双极型与MOS半导体器件原理》黄均鼐等，复旦大学出版社
②《半导体器件物理基础》（第1、2、3、5章）曾树荣，北京大学出版社