电路保护设计

⑴ 过压保护 过流保护电路如何设计

你的设计项目说得不太清楚，如果只是在输入380v上加过流过压保护，用保险丝和压敏电阻就可以了，如果是输出上要有过流过压保护你就要把输出的条件也说清楚了

⑵ 开关电源短路保护电路设计

最有意义的是用开关电源充电，当被充电电池反接的时候，
用电子装置保护专，而不是用熔断丝保属护。
尤其是非隔离开关电源，例如LM2576等芯片对电池充电的反接保护、
限流控制、短路保护。这些要求全都已经实现了，
就等你来新的设计，并且公开。
因为直流变换为直流的开关电源有用变压器隔离的，
也有不隔离，直接耦合电路直流连接的，
当直接连接，开关电源输出有一个反接的肖特基二极管，
当电池反接的时候，这个肖特基二极管就构成短路捷径，
过流保护的高水平，是当负载电阻不断下降的时候，
输出电流首先是保持不变，
然后输出电流不断下降，
这就是水平，就是能力的体现。

⑶ 怎么来设计一个防过压电路来保护单片机

这个稳压二极管功率要大，要不瞬间就烧了，再二极管前面加个可恢复保险丝，电压一高，稳压二极管分流电流增大，电流一大保险丝断开，这样就不叫安全了。我有一次弄了个稳压二极管 电压给接反了，以上电 瞬间二极管就费了，1W的二极管。

⑷ 用三极管设计保护电路

图不完整。估计555是多谐振荡电路。
Q2Q3是驱动三极管，驱动场效应管输出，一旦输出负载过中，场效应管Id电流过大，势必造成R8电阻电位上升，Q4三极管导通，使得555复位停止振荡输出。

⑸ 什么是电源保护电路设计

考虑电源电路产生的一些不稳定因素 比如有过流保护 过压保护 过热保护 空载保护 短路保护等，通过一系列采样电路，比较电路，控制电路等，抑制电源电路产生的各种不稳定因素，或者直接使电源停止工作，保护电源和用电器。

⑹ 钳位保护电路设计在调理电路和ADC电路之间,因为什么

ADC的输入范围是固定的，只需要将进入ADC的信号控制在额定范围内即可，因此在ADC前加钳位电路。调理电路是将输入信号放大或缩小，使输出信号保持在ADC范围内，因此没法对调理电路之前的信号进行钳位。

⑺ 如何设计一个简单的过电流保护电路给个电路图

看你用在复什么地方，制设计很简单，测试很复杂。原理就是将导线穿过线圈（互感器），次级感应电流，用这个电流的大小来控制主回路。如果不够大还可以设计放大电路。用多级继电的方式达到目的。
那么问题就是，这个互感器用什么做，导线绕多少圈，说实话，找材料加测试，一个星期都未必能结束。

⑻ 过电压保护电路的设计思路什么

用稳压二极管和可控硅相结合，电路简单保险系数高。稳压管接于可控硅控制极，一旦过压稳压管导通，致使可控硅导通，从而保护用电器。OK!

⑼ 如何实现电路保护设计中的ESD保护

对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干扰(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高的下载和带宽能力。随着设备的越来越小和融入性能的不断增加，ESD以及许多情况下的EMI/RFI抑制已无法涵盖在驱动所需接口的新一代IC当中。 另外，先进的系统级芯片(SoC)设计都是采用几何尺寸很小的工艺制造的。为了优化功能和芯片尺寸，IC设计人员一直在不断减少其设计的功能的最小尺寸。IC尺寸的缩小导致器件更容易受到ESD电压的损害。过去，设计人员只要选择符合IEC61000-4-2规范的一个保护产品就足够了。因此，大多数保护产品的数据表只包括符合评级要求。由于集成电路变得越来越敏感，较新的设计都有保护元件来满足标准评级，但ESD冲击仍会形成过高的电压，有可能损坏IC。因此，设计人员必须选择一个或几个保护产品，不仅要符合ESD脉冲要求，而且也可以将ESD冲击钳位到足够低的电压，以确保IC得到保护。图1：美国静电放电协会(ESDA)的ESD保护要求先进技术实现强大ESD保护安森美半导体的ESD钳位性能备受业界推崇，钳位性能可从几种方法观察和量化。使用几个标准工具即可测量独立ESD保护器件或集成器件的ESD钳位能力，包括ESD保护功能。第一个工具是ESD IEC61000-4-2 ESD脉冲响应截图，显示的是随时间推移的钳位电压响应，可以看出ESD事件中下游器件的情形。图2：ESD钳钳位截图除了ESD钳位屏幕截图，另一种方法是测量传输线路脉冲(TLP)来评估ESD钳位性能。由于ESD事件是一个很短的瞬态脉冲，TLP可以测量电流与电压(I-V)数据，其中每个数据点都是从短方脉冲获得的。TLP I-V曲线和参数可以用来比较不同TVS器件的属性，也可用于预测电路的ESD钳位性能。图3：典型TLP I-V曲线图安森美半导体提供的高速接口ESD保护保护器件阵容有两种类型。第一类最容易实现，被称为传统设计保护。在这种类型设计中，信号线在器件下运行。这些器件通常是电容最低的产品。另一类是采用PicoGuard XS技术的产品。这种类型设计使用阻抗匹配(Impedance Matched)电路，可保证100 Ω的阻抗，相当于电容为零。这类设计无需并联电感，有助于最大限度地减少封装引起的ESD电压尖峰。图4：传统方法与PicoGuard XS设计方法的对比安森美半导体的保护和滤波解决方案均基于传统硅芯片工艺技术。相比之下，其它类型的低成本无源解决方案使用的是陶瓷、铁氧体和多层压敏电阻(MLV)组合的材料。这类器件通常ESD钳位性能较差。在某些情况下，传递给下游器件的能量可能比安森美半导体解决方案低一个量级。一些采用旧有技术的产品甚至可能在小量ESD冲击后出现劣化并变得更糟。由于其材料性质，一些无源器件往往表现出温度的不一致性，从而降低了终端系统在标准消费温度和环境温度范围内运行的可靠性。1