开关电源电路设计

『壹』 开关电源短路保护电路设计

最有意义的是用开关电源充电，当被充电电池反接的时候，
用电子装置保护专，而不是用熔断丝保属护。
尤其是非隔离开关电源，例如LM2576等芯片对电池充电的反接保护、
限流控制、短路保护。这些要求全都已经实现了，
就等你来新的设计，并且公开。
因为直流变换为直流的开关电源有用变压器隔离的，
也有不隔离，直接耦合电路直流连接的，
当直接连接，开关电源输出有一个反接的肖特基二极管，
当电池反接的时候，这个肖特基二极管就构成短路捷径，
过流保护的高水平，是当负载电阻不断下降的时候，
输出电流首先是保持不变，
然后输出电流不断下降，
这就是水平，就是能力的体现。

『贰』 12V2A开关电源电路设计

24W12V开关电路

『叁』 [课程设计】开关电源电路的设计

这个有点难度，看你用什么方案，做什么指标，可以交流一下

『肆』 开关电源的设计与工作原理

一、主电路
从交流电网输入、直流输出的全过程，包括：
1、输入滤波器：其作用是将电网存在的杂波过滤，同时也阻碍本机产生的杂波反馈到公共电网。
2、整流与滤波：将电网交流电源直接整流为较平滑的直流电，以供下一级变换。
3、逆变：将整流后的直流电变为高频交流电，这是高频开关电源的核心部分，频率越高，体积、重量与输出功率之比越小。
4、输出整流与滤波：根据负载需要，提供稳定可靠的直流电源。
二、控制电路
一方面从输出端取样，经与设定标准进行比较，然后去控制逆变器，改变其频率或脉宽，达到输出稳定，另一方面，根据测试电路提供的资料，经保护电路鉴别，提供控制电路对整机进行各种保护措施。
三、检测电路
除了提供保护电路中正在运行中各种参数外，还提供各种显示仪表资料。
四、辅助电源
提供所有单一电路的不同要求电源。

『伍』 三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用

分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。三极管是电流控制型器件。
Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconctor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
当MOS电容的栅极(Gate)相对于衬底(BACKGATE)正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道(channel)。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。所以MOS是电压控制型器件。
(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于开关电源及各种电子设备中。尤其用场效管做开关电源的功率驱动，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：
1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm;
2.驱动能力：MOS管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;
3.成本问题：三极管便宜，MOS管贵;
4.BJT线性较差，FET线性较好;
5.BJT噪声较大，FET噪声较小;
6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;
7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流;
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制;MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

『陆』 开关电源的设计与工作原理

原发布者:雨水的sky
开关电源一．开关电源的工作原理(以LQ-1600K3电源为例)+5V+35Vcpu20AC输入sw1.滤波电路交流输入经滤波电路整形进入全桥整流。滤波电路减小了外部噪声和打印机内部所产生的噪声。滤波器中使用的线圈和电容的作用是抑制交流电中的毛刺脉冲，使噪声干扰降低到最小从而得到一个较平滑的正弦波。C3、C4电容接于地是为了防止电源中窜入高脉冲损坏电路。经全桥整流和电容滤波形成300多伏的准直流电压。2.开关电路开关电路使用环形阻塞转换器式交流输入开关电源电路。具有元件少，变压器小的特点，场效应管Q1既是开关管又是振荡管，振荡周期由电阻R11和C13的充放电时间常数所决定。电路的工作过程是导通饱和→截止→导通饱和，周而复始地进行下去。其工作过程如下：a.导通饱和阶段电源接通，交流220V经过滤波、整流、平滑输出直流电压300V，由启动电阻R10、R31接至振荡管Q1的栅极上，产生栅压Vgs，在Q1的漏极上产生漏极电流Id，从小到大。在变压器T1上线圈T15—12内产生一个力图阻止Id增大的自感电

『柒』 正激型开关电源电路设计及仿真

正激和反激 的区别其实主要就是副边圈感应出的电流方向不同
当感应出的电流方向不同的话
副边圈后面接的整流二极管的导通截止的时序是不同的
另外主线圈接着的开关管的导通截止时序也不同

『捌』 如何设计开关电源

开交流输入电源
使模块复位.
输出过流：过流特性按表1.1的给定值示于图1.过流时,恒流到60％电压,然后电流电压转折下降.(最后将残留与短路
相同的状态)
输出反接：在输入反接时,在外电路设置了一个保险丝烧断(＜32A/ 55V)
过热：内部检测器禁止模块在过热下工作，一旦温度减少到正常值以下,自动复位.
1.4 显示和指示功能
输入监视：输入电网正常显示.
输出监视：输出电压正常显示.(过压情况关断).
限流指示：限流工作状态显示.
负载指示： 负载大于低限电流显示.
继电器：输入和输出和输入正常同时正常显示。
输出电流监视：负载从10％到100％,指示精度为±5％.
遥控降低：提供遥控调节窗口.
1.5 系统功能
电压微调：为适应电池温度特性,可对模块的输出电压采取温度补偿.
负载降落：为适应并联均流要求，应能够调节外特性。典型电压降落0.5％,使得负载从零到增加100％,输出电压下
降250mV.
遥控关机：可实现遥控关机。
1.6 电气绝缘
下列试验对完成的产品100％试验。
1.在L(网)和N(中线)之间及其它端子试验直流电压为6kV.
2.在所有输出端和L,N及地之间试验直流2.5kV.这检查输出和地之间的绝缘.
3.下列各点分别到所有其它端子试验直流100V：
电压降低(11和12脚)
继电器接点(14,15和16脚)
给我你的邮箱，给你发个材料做参考。

『玖』 开关电源的原理与设计

限制上电浪涌电流最有效的方法是，在整流器与滤波电容器之间，或在整流器的输入侧加一负温度系数热敏电阻（NTC）。利用负温度系数热敏电阻在常温状态下具有较高阻值来限制上电浪涌电流，上电后由于NTC流过电流发热使其电阻值降低以减小NTC上的损耗。这种方法虽然简单，但存在的问题是限制上电浪涌电流性能受环境温度和NTC的初始温度影响，在环境温度较高或在上电时间间隔很短时，NTC起不到限制上电浪涌电流的作用，因此，这种限制上电浪涌电流方式仅用于价格低廉的微机电源或其他低成本电源。而在彩色电视机和显示器上，限制上电浪涌电流则采用串一限流电阻，电路如图4所示。最常见的应用是彩色电视机，这种方法的优点是简单，可靠性高，允许在宽环境温度范围内工作，其缺点是限流电阻上有损耗，降低了电源效率。事实上整流器上电处于稳态工作后，这一限流电阻的限流作用已完成，仅起到消耗功率、发热的负作用，因此，在功率较大的开关电源中，采用上电后经一定延时后用一机械触点或电子触点将限流电阻短路，如图5所示。这种限制上电浪涌电流方式性能好，但电路复杂，占用体积较大。为使应用这种抑制上电浪涌电流方式，象仅仅串限流电阻一样方便，我推荐楼主用功开关电源上电浪涌电流抑制模块。
上电浪涌抑制模块有两种（据我所知。。）
A：带有限流电阻的上电浪涌电流抑制模块

将功率电子开关（可以是MOSFET或SCR）与控制电路封装在一个相对很小的模块中，引出3～4个引脚。整流器上电后最初一段时间，外接限流电阻抑制上电浪涌电流，上电浪涌电流结束后，模块导通将限流电阻短路，很显然上电浪涌电流峰值被有效抑制，这种上电浪涌电流抑制模块需外接一限流电阻，我觉得用起来很不方便。楼主设计大功率的电源这个有电阻的势必要损耗额外的电源功率。
B：无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块

无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块，其思路是将电路设计成线形恒流电路。实际电路会由于两极放大的高增益而出现自激振荡现象，但不影响电路工作。从原理上讲，这种电路是可行的，但在使用时则有如下问题难以解决：如220V输入的400W开关电源的上电电流至少需要达到4A，如上电时刚好是电网电压峰值，则电路将承受4×220×=1248W的功率。不仅远超出IRF840的125W额定耗散功率，也远超出IRFP450及IRFP460的150W额定耗散功率，我没用用过这样的模块做过电源防浪。我做得都是小功率的。您这个我估计如果按这个设计的话。开关管功率是个问题。不过可以参考下。从性价的角度讲即使是APT的线性MOSFET也只有450W的额定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的结果是，MOSFET仅能承受有限次数的上电过程便可能被热击穿，而且从成本上看，IRF840的价格可以接受，而IRFP450及IRFP460则难以接受，APT的线性MOSFET更不可能接受。这些只是我的计算结论。实际应该比这个稍微乐观些。浪涌电流达不到我说的这个程度。希望你设计成功吧。