新型电力电子器件
『壹』 电力电子器件的分类
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1.半控型器件，例回如晶闸答管；
2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3.不可控器件，例如电力二极管；
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1.电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR；
根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2.电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGBT；
按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2.单极型器件，例如MOSFET、SIT；
3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT；
『贰』 现阶段有哪些新型电力电子器件，大致有什么特性
宽禁带材料抄吧，比如SiC、GaN、金袭刚石等等。
什么是宽禁带材料：众所周知，电子要想突破原子核束缚成为自由电子，是需要能量的。Si材料大约需要1.12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料 需要2.3eV左右的能量。
由于具有比硅宽得多的禁带宽度，宽禁带半导体材料一般都具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率，因此，基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件将具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力，许多方面的性能都是成数量级地提高。但是，宽禁带半导体器件的发展一直受制于材料的提炼、制造以及随后半导体制造工艺的困难。
现在常见的就是肖特基二极管吧。
『叁』 新型电力电子器件GTR，GTO，SIT，IGBT，MOSFET，SITH,MCT，IGCT的英文全称，和中文名是什么
MCT应该为MOS Controlled thyristor。楼下错误翻译：光电晶体管光耦合器
『肆』 电力电子器件有哪些基本类型,其发展趋势如何
一：电力电子器件的分类共有四大类！
其中每类又能分出多种不同类型：
一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1、半控型器件，例如晶闸管；
2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3、不可控器件，例如电力二极管。
二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2、单极型器件，例如MOSFET、SIT；
3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。
二：高频化、集成化、标准模块化和智能化是电力电子器件未来的主要发展方向。
(1)随着电力电子技术应用的不断发展，对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言，要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间，而对于航天和军事应用，还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。特别是航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域，以上要求更为迫切。
(2)未来几年中，尽管以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已趋于成熟，但是各种新结构和新工艺的引入，仍可使其性能得到进一步提高和改善，Coolmos、各种改进型IGBT和IGCT均有相当的生命力和竞争力。
(3)电力电子器件的智能化应用也在不断研究中取得了实质成果。一些国外制造企业已经开发出了相应的IPM智能化功率模块，结构简单、功能齐全、运行可靠性高，并具有自诊断和保护的功能。
(4)新型高频器件碳化硅和氮化镓器件正在迅速发展，一些器件有望在不远的将来实现商品化，总部位于美国北卡罗来纳的CREE公司已经实现商用的SiC二极管和MOSFET[2] 。但由于材料和制造工艺方面的问题，还需要大量的研究投入和时间才能逐步解决，位于北卡州立大学的FREEDM中心正在对此技术进行研究。
『伍』 什么是复合型电力电子器件它们有哪些产品
电力电子器件实际上就是可控硅开关，主要有几种：MOSFET，二极管，晶闸管，IGBT，GTO和IGCT
简单的版说它们根据开关控制方式，权分为 电压控制型 和 电流控制型；
其中，压控型器件一般容量较小，但控制简单，MOSFET就是典型的压控器件；
而容量大的电流控制型开关器件，比如GTO，控制开关所需的能量较大，换句话说 就是开关控制不方便；
于是人们就把 电压控制型器件 和 电流控制型器件做了一个组合，形成了复合型电力电子器件，它控制器件比较简单，容量也可以做的比较大；
至于复合型电力电子器件，实际上常见的和典型的 只有一种，那就是IGBT。至于什么是IGBT，可以去读些参考文献；
看你问题提了好几次... 就费点时间给你讲讲~~ ：）
『陆』 华微电子的8英寸新型电力电子器件基地项目有什么影响力
华微电子的8英寸新型电力电子器件基地项目将推动公司在未来发展中不断加大具有自主知识产权的新产品生产规模，推进公司树立中国功率半导体民族品牌、打造全球领先的世界级功率半导体企业的进程。
『柒』 新型氮化镓电力电子元件技术开发周期要多久
新型氮化稼点滴电源键技术开发周期要多久？技术开发周期的话，这个就是要看他们科研攻关的，一方面的努力，或者说是其他方面的一些进展
『捌』 当前主流的电力电子器件有哪些各自适用的场合
（1）常用的电力电子器件有：SCR（普通晶闸管），双向SCR（双向晶闸管），GTR（高版功率晶体管），MOSFET（功权率场效应管），IGBT（绝缘栅门控双极型晶体管），GTO（可关断晶闸管）,IGCT(换流关断晶闸管）等（第一章电力电子器件一般考试都会考到，属于重点内容,特别是英文字母要记住个器件英文对应的中文意思）
（2）MOSFET的特点：是性能理想的中小容量的高速压控型器件，广泛应用于各种中小型的电子装置中。MOSFET的控制要求简单，其工作频率可以达到100Khz至数兆赫兹。
（3）IGBT的特点：IGBT是性能理想的中大容量的中高速压控型器件，广泛应用于各种中大型电力电子装置中。其开关频率通常可达到20Khz左右，在电流耐力方面，IGBT的额定工作电流在数十安至千安级。
『玖』 电力电子器件的怎么分类
（一）按能被控制电路信号控制的程度可以分为：
1.半控型器件：就是通过控制信号可回以控制其导通担答不可控制其关断的电力电子器件 例如晶闸管
2.全控型器件：就是通过控制信号既可以控制器导通又可以控制器关断的器件
3.不可控器件：就是不需要控制信号的器件例如 电力二极管
（二）按电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可以分为：
1.单极型器件：只有一种载流子参与导电
2.双极型器件：有电子和空穴两种载流子参与导电
3.复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件
（三）按加在电力电子器件控制端和公共端间信号的性质可以分为：
1.电流驱动型 例如晶闸管
2.电压驱动型
『拾』 电力电子器件如何分类
电力电子器件的分类共有四大类！
其中每类又能分出多种不同类型：
一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：
1、半控型器件，例如晶闸管；
2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；
3、不可控器件，例如电力二极管。
二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：
1、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；
2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；
2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；
2、单极型器件，例如MOSFET、SIT；
3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。