新型晶体材料
㈠ （2014龙岩一模）氯化硼（BN）晶体是一种新型无机合成材料．用硼砂（Na2B4O7）和尿素反应可以得到氮化硼
（1）第一电离能同周期从左到右，呈增大趋势；同主族从上到下，逐渐减小，位于周期表右上方的元素第一电离能大，又由于N＞O，故答案为：N；
（2）分子内只含一条双键，即只含一条π键；相邻原子之间均存在σ键，数目为7；碳氧双键及相连的原子一定共平面，即O、C、N原子一定共平面，与每个N相连的H可能共平面，故答案为：1：7；6；
（3）由于存在的微粒为分子，应从分子间作用力方面考虑，H与N相连，且分子内还含有极性较强的C、O双键，可以想到分子间可形成氢键，故答案为：氢键；
（4）①微粒为分子，不具备形成分子间氢键的条件，只能考虑到作用力为范德华力，故答案为：范德华力；
②不含支链的分子可通过，含有支链的分子不能通过，可得到答案；A．都不含支链，不可分离；B、丁烷不含支链，异丁烷含有支链，可以分离；C、异戊烷和新戊烷都含有支链，不可分离；D、氯化钠和氯化钾均以离子形式存在，二者相同，不可分离；故答案为：B；
（5）①与石墨结构相似，石墨中C以sp2杂化，故答案为：sp2；
②结构与金刚石相似，金刚石中，C原子形成4条共价键；B原子最外层有3个电子占据3条杂化轨道，只能形成3条共价键，还有一条空轨道，形成配位键，故答案为：4、1．
㈡ （1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似
（1）Ga原子是31号元素，Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1；GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，
故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；正四面体；原子；
（2）微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子，
故答案为：能够接受孤电子对的空轨道；
（3）①在元素周期表中同一周期从左到右元素的电负性逐渐增强，同一主族从上到下元素的电负性逐渐减弱，可知电负性强弱顺序为O＞N＞H，
故答案是：O＞N＞H；
②SO2分子中含有2个δ键，孤电子对数=
| 6?2×2 |
| 2 |
故答案为：V形； SO42-、SiO44-等；
③乙二胺分子中氮原子形成4个δ键，价层电子对数为4，氮原子为sp3杂化，乙二胺分子间可以形成氢键，物质的熔沸点较高，而三甲胺分子间不能形成氢键，熔沸点较低，
故答案为：sp3杂化；乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键；
④）②中所形成的配离子中含有的化学键中N与Cu之间为配位键，C-C键为非极性键，C-N、N-H、C-H键为极性键，不含离子键，
故答案为：abd；
⑤从CuCl的晶胞可以判断，每个铜原子与4个Cl距离最近且相等，即Cu的配位数为4，根据化学式可知Cl的配位数也为4，
故答案为：4．
㈢ 第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似
（1）镓位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1，
价电子的版轨道排布式为：权
．
㈣ 请完成下列各题：第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与
解：（1）Ga原子是31号元素，根据构造原理写出Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，
故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；
（2）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，每个Ga原子与4个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，
故答案为：4；正四面体；
（3）GaN晶体结构与单晶硅相似，GaN属于原子晶体，故答案为：原子；
（4）碳原子可以形成4个碳碳单键，所以每个As应与4个Ga相连，金刚石中含有的化学键是共价键，所以该物质中含有的化学键是极性键，单键为σ键，又因为砷原子还有1对孤对电子，而镓原子有容纳孤对电子的空轨道，所以还可以构成配位键，
故答案为：BEG；
（5）晶胞中Ga位于体内，数目为4，As原子位于顶点和面心，数目为8×
| 1 |
| 8 |
| 1 |
| 2 |
| 4×(70+75)g/mol |
| 6.02×1023mol?1 |
| 4×(70+75) |
| 6.02×1023×(564×10?10)3 |
a位置As原子与b位置Ga原子之间的距离为晶体体对角线的
| 1 |
| 4 |
| 1 |
| 4 |